| Item type |
デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) |
| 公開日 |
2023-03-18 |
| タイトル |
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タイトル |
Electronic structure and superconducting gap of silicon clathrate Ba8Si46 studied with ultrahigh-resolution photoemission spectroscopy |
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言語 |
en |
| 作成者 |
Yokoya, T.
Fukushima, A.
Kiss, T.
Kobayashi, K.
Shin, S.
Moriguchi, K.
Shintani, A.
Fukuoka, Hiroshi
Yamanaka, Shoji
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| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 権利情報 |
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権利情報 |
Copyright (c) 2001 American Physical Society |
| 主題 |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
420 |
| 内容記述 |
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内容記述 |
We study the electronic structure and superconducting transition of silicon clathrate Ba8Si46 (Tc=8 K) using photoemission spectroscopy. We observe a narrow band at the Fermi level (EF), whose width (∼0.3 eV) is substantially smaller than that of band structure calculations (∼1.5 eV). Ultrahigh-resolution measurements show a superconducting gap at 5.4 K [2Δ(0)/kBTc=3.51]. Fine structures associated with phonons are observed within 70 meV of EF. These results characterize Ba8Si46 as a weak-coupling superconductor most probably driven by phonon. |
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言語 |
en |
| 出版者 |
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出版者 |
American Physical Society |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1103/PhysRevB.64.172504 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.64.172504 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11187113 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1098-0121 |
| 開始ページ |
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開始ページ |
172504 |
| 書誌情報 |
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
巻 64,
号 17,
p. 172504,
発行日 2001-11-01
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| 旧ID |
16642 |
PhysRevB_64_172504inclErratum.pdf (180.0 KB)
