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  1. 学術雑誌論文等

Electronic structure of a narrow-gap semiconductor FeGa3 investigated by photoemission and inverse photoemission spectroscopies

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2008098
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2008098
f05904b2-7571-4a5e-9f7d-446268d88128
名前 / ファイル ライセンス アクション
PhysRevB_83_245116.pdf PhysRevB_83_245116.pdf (738.8 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Electronic structure of a narrow-gap semiconductor FeGa3 investigated by photoemission and inverse photoemission spectroscopies
言語 en
作成者 Arita, Masashi

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Shimada, Kenya

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Utsmi, Yuki

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Namatame, Hirofumi

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Hadano, Yuta

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Takabatake, Toshiro

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2011 The American Physical Society
主題
主題Scheme NDC
主題 420
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 We have performed a photoemission and inverse photoemission spectroscopic study of a narrow-gap semiconductor FeGa_3, in order to characterize the occupied and unoccupied electronic states. The energy-gap size was found to be ~0.4 eV, and the valence-band maximum (VBM) was located around the A point of the Brillouin zone. We observed a dispersive Ga 4sp derived band near the Fermi level (E_F), and Fe 3d narrow bands located at -0.5 and -1.1 eV away from E_F. In contrast to the case of FeSi, there was no temperature-dependent peak enhancement at the VBM on cooling. The observed density of states and band dispersions were reasonably reproduced by the LDA+U calculation with the on-site effective Coulomb interaction U_<eff> ~3 eV to the Fe 3d states. Present results indicate that, in spite of sizable U_<eff>/W ~0.6 (W: band width), electron correlation effects are not significant in FeGa_3 compared with FeSi since the VBM consists of the dispersive band with the reduced Fe 3d contribution, and the energy gap is large.
出版者
出版者 The American Physical Society
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1103/PhysRevB.83.245116
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.245116
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1098-0121
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11187113
開始ページ
開始ページ 245116-1
書誌情報 Physical Review B
Physical Review B

巻 83, 号 24, p. 245116-1-245116-5, 発行日 2011-06-22
旧ID 31968
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Ver.1 2025-02-21 04:12:47.438297
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