WEKO3
アイテム
High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007706
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007706c20d5b11-636d-46a4-b424-5ce231aaf2b3
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
MicroelecEng_83_1740.pdf (498.8 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Sunami, Hideo
× Sunami, Hideo
× Yoshikawa, Koji
× Okuyama, Kiyoshi
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| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2006 Elsevier B.V. | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Beam channel | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | High-aspect ratio | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Metal-oxide-semiconductor transistor | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Plasma doping | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | Three-dimension | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述 | Besides further scaling of the metal-oxide-semiconductor transistor, which has continuously been achieved for these 35 years in large-scale integration, three-dimensional transistors having fin-type silicon substrate have been increasingly important for its promising potential to ultimately scaled ones. In this research, a beam-channel transistor featuring very-tall silicon beam has been proposed and its structure formation techniques are summarized in this article. They are tall beam formation, conformal gate formation, uniform source/drain formation, and conformal metal contact. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Elsevier B.V. | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | AO | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1016/j.mee.2006.01.270 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.270 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0167-9317 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA10693521 | |||||||||||
| 開始ページ | ||||||||||||
| 開始ページ | 1740 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Microelectronic Engineering Microelectronic Engineering 巻 83, 号 4-9, p. 1740-1744, 発行日 2006-04 |
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| 旧ID | 15364 | |||||||||||
