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  1. 学術雑誌論文等

Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007194
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007194
27aa267a-46a2-416f-86d4-d390443a7ba7
名前 / ファイル ライセンス アクション
JApplPhys_98_114504.pdf JApplPhys_98_114504.pdf (145.0 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics
言語 en
作成者 Zhu, Shiyang

× Zhu, Shiyang

en Zhu, Shiyang

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Nakajima, Anri

× Nakajima, Anri

en Nakajima, Anri

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Ohashi, Takuo

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Miyake, Hideharu

× Miyake, Hideharu

en Miyake, Hideharu

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2005 American Institute of Physics.
内容記述
内容記述 The interface trap generation (Δ Nit) and fixed oxide charge buildup (Δ Not) under negative bias temperature instability (NBTI) of p -channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (p MOSFETs) with ultrathin (2 nm) plasma-nitrided SiON gate dielectrics were studied using a modified direct-current-current-voltage method and a conventional subthreshold characteristic measurement. Different stress time dependences were shown for Δ Nit and Δ Not. At the earlier stress times, Δ Nit dominates the threshold voltage shift (Δ Vth) and Δ Not is negligible. With increasing stress time, the rate of increase of Δ Nit decreases continuously, showing a saturating trend for longer stress times, while Δ Not still has a power-law dependence on stress time so that the relative contribution of Δ Not increases. The thermal activation energy of Δ Nit and the NBTI lifetime of p MOSFETs, compared at a given stress voltage, are independent of the peak nitrogen concentration of the SiON film. This indicates that plasma nitridation is a more reliable method for incorporating nitrogen in the gate oxide.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.2138372
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.2138372
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
書誌情報 Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics

巻 98, 号 11, 発行日 2005-12-01
旧ID 18600
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Ver.1 2025-02-21 03:44:30.847035
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