WEKO3
アイテム
Gate-extension overlap control by Sb tilt implantation
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007060
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007060db3f3700-3489-4a36-b1b0-9eea6bafde75
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Gate-extension overlap control by Sb tilt implantation | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 作成者 |
Shibahara, Kentaro
× Shibahara, Kentaro
× Maeda, Nobuhide
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 権利情報 | ||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2007 The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | MOSFET | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | extension | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | gate | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | overlap | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | tilt implantation | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Sb | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述 | Antimony tilt implantation has been utilized for source and drain extension formation of n-MOSFETs. The tilt implantation is a very convenient method to provide adequate overlap between the extensions and a gate electrode. MOSFET drive current was effectively improved by the tilt implantation without degrading short channel effects. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 電子情報通信学会 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | 10.1093/ietele/e90-c.5.973 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1093/ietele/e90-c.5.973 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 0916-8524 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA10826283 | |||||||||
| 開始ページ | ||||||||||
| 開始ページ | 973 | |||||||||
| 書誌情報 |
IEICE-Transactions on Electronics IEICE-Transactions on Electronics 巻 E90-C, 号 5, p. 973-977, 発行日 2007 |
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| 旧ID | 20723 | |||||||||