ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 学術雑誌論文等

NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006267
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006267
8e76174a-eb9b-4025-abda-58624d02806e
名前 / ファイル ライセンス アクション
ApplPhysLett_80_1252.pdf ApplPhysLett_80_1252.pdf (116.0 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル NH3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability
言語 en
作成者 Nakajima, Anri

× Nakajima, Anri

en Nakajima, Anri

Search repository
Khosru, Quazi Deen Mohd

× Khosru, Quazi Deen Mohd

en Khosru, Quazi Deen Mohd

Search repository
Yoshimoto, Takashi

× Yoshimoto, Takashi

en Yoshimoto, Takashi

Search repository
Kidera, Toshirou

× Kidera, Toshirou

en Kidera, Toshirou

Search repository
Yokoyama, Shin

× Yokoyama, Shin

en Yokoyama, Shin

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
内容記述
内容記述 Extremely thin (equivalent oxide thickness, Teq = 1.2 nm) silicon-nitride high-k (er = 7.2) gate dielectrics have been formed at low temperatures (<550 °C) by an atomic-layer-deposition (ALD) technique with subsequent NH3 annealing at 550 °C. A remarkable reduction in leakage current, especially in the low dielectric voltage region, which will be the operating voltage for future technologies, has made it a highly potential gate dielectric for future ultralarge-scale integrated devices. Suppressed soft breakdown events are observed in ramped voltage stressing. This suppression is thought to be due to a strengthened structure of Si–N bonds and the smoothness and uniformity at the poly-Si/ALD-silicon-nitride interface.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.1447314
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1447314
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
開始ページ
開始ページ 1252
書誌情報 Applied Physics Letters
Applied Physics Letters

巻 80, 号 7, p. 1252-1254, 発行日 2002-02-18
旧ID 18588
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2025-02-21 03:15:57.007292
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3