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アイテム
Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006264
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/20062646cd5f455-d02c-47fb-904b-d65c7f6d83ee
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
ApplPhysLett_79_617.pdf (103.3 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4 | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Yokoyama, Shin
× Yokoyama, Shin
× Ohba, Kenji
× Nakajima, Anri
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| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2001 American Institute of Physics. | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述 | Atomic-layer deposition of Si on SiO2 with a self-limiting growth mode was achieved at substrate temperatures between 355 and 385 °C by means of alternate supply of Si2H6 and SiCl4 gas sources. The growth rate was saturated at 2 ML per cycle at these temperatures and for Si2H6 exposure time over 120 s. The smooth surface (∼0.26 nm in arithmetic average roughness) was obtained under the self-limiting condition irrespective of a film thickness up to 6.5 nm. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1389508 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.1389508 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||
| 開始ページ | ||||||||||||
| 開始ページ | 617 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters Applied Physics Letters 巻 79, 号 5, p. 617-619, 発行日 2001-07-30 |
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| 旧ID | 18585 | |||||||||||
