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  1. 広島大学博士論文
  2. 2012年度以前

新しい固相成長法による太陽電池用薄膜多結晶シリコンに関する研究

https://doi.org/10.11501/3098660
https://doi.org/10.11501/3098660
07f4aac4-5b7e-4b5f-941d-468cbcd5ded2
名前 / ファイル ライセンス アクション
diss_otsu2526.pdf diss_otsu2526.pdf (84.1 MB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Investigation on thin-film polycrystalline silicon for solar cells by a new solid phase crystallization method
言語 en
タイトル
タイトル 新しい固相成長法による太陽電池用薄膜多結晶シリコンに関する研究
言語 ja
作成者 松山, 隆夫

× 松山, 隆夫

ja 松山, 隆夫

en Matsuyama, Takao

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright(c) by Author
主題
主題Scheme NDC
主題 570
内容記述
内容記述タイプ TableOfContents
内容記述 1 Introduction / p1  1.1 History of solar cells / p1  1.2 Conventional fabrication method of thin-film polycrystalline silicon for solar cells / p2  1.3 Solid phase crystallization method / p6  1.4 A new solid phase crystallization (SPC) method / p8  References / p12 2 Theoretical background / p14  2.1 Introduction / p14  2.2 Solid phase crystallization / p15  2.3 Transport of polycrystalline silicon films / p18  2.4 Current-voltage characteristics of p-n junction / p21  2.5 Summary / p26  References / p27 3 Development of thin-film polycrystalline silicon by a new SPC method / p28  3.1 Introduction / p28  3.2 Effect of impurities (dopants) / p33  3.3 Optimum starting materials for the SPC method / p66  3.4 Investigation of substrates / p83  3.5 Solid phase crystallization using crystal silicon as a seed / p97  3.6 Summary / p108  References / p110 4 Development of solar cells using thin-film polycrystalline silicon / p111  4.1 Introduction / p111  4.2 Experimental technique / p112  4.3 A new junction fabrication technology / p116  4.4 Solar cells using thin-film polycrystalline silicon fabricated by the SPC method / p136  4.5 Summary / p147  References / p149 5.Summary / p150 Acknowledgement / p153
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
資源タイプ doctoral thesis
出版タイプ
出版タイプ NA
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43
ID登録
ID登録 10.11501/3098660
ID登録タイプ JaLC
開始ページ
開始ページ 1
書誌情報
p. 1
学位授与番号
学位授与番号 乙第2526号
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位名
言語 en
学位名 Engineering
学位授与年月日
学位授与年月日 1994-02-10
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 15401
言語 ja
学位授与機関名 広島大学
学位授与機関
言語 en
学位授与機関名 Hiroshima University
旧ID 33789
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Ver.1 2025-02-21 01:54:46.556099
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