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アイテム
メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004416
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/20044169ca4673c-757a-4cf8-bae1-983d58115a7b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k6752_3.pdf (2.7 MB)
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k6752_1.pdf (205.2 KB)
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k6752_2.pdf (202.5 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 作成者 |
赤澤, 宗樹
× 赤澤, 宗樹
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate by meniscus force-mediated layer transfer technique; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 108002-1－108002-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.108002) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, and Seiichiro Higashi; Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass; Japanese Journal of Applied Physics 54, 086503-1－086503-7 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.086503) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force; Applied Physics Letters, 103, 233510-1－233510-4 (2013). (doi: 10.1063/1.4837696) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, and Seiichiro Higashi; Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 018004-1－018004-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.018004) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique; ECS Transactions 64(10), 17-22 (2014). (doi: 10.1149/06410.0017ecst) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates; Japanese Journal of Applied Physics, 54, 04DA08-1－04DA08-5 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.04DA08) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.7567/JJAP.53.108002 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.7567/JJAP.54.086503 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1063/1.4837696 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.7567/JJAP.53.018004 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1149/06410.0017ecst | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DA08 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第6752号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位名 | Doctor of Engineering | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2015-09-04 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 15401 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 広島大学 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位授与機関名 | Hiroshima University | |||||||||
| 旧ID | 40193 | |||||||||
