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  1. 広島大学博士論文
  2. 2015年度

メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004416
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004416
9ca4673c-757a-4cf8-bae1-983d58115a7b
名前 / ファイル ライセンス アクション
k6752_3.pdf k6752_3.pdf (2.7 MB)
k6752_1.pdf k6752_1.pdf (205.2 KB)
k6752_2.pdf k6752_2.pdf (202.5 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors
言語 en
タイトル
タイトル メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製
言語 ja
作成者 赤澤, 宗樹

× 赤澤, 宗樹

ja 赤澤, 宗樹

en Akazawa, Muneki

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
主題
主題Scheme NDC
主題 540
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
資源タイプ doctoral thesis
出版タイプ
出版タイプ NA
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate by meniscus force-mediated layer transfer technique; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 108002-1-108002-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.108002)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, and Seiichiro Higashi; Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass; Japanese Journal of Applied Physics 54, 086503-1-086503-7 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.086503)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Shogo Nakamura, and Seiichiro Higashi; Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force; Applied Physics Letters, 103, 233510-1-233510-4 (2013). (doi: 10.1063/1.4837696)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Kohei Sakaike, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, and Seiichiro Higashi; Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force; Japanese Journal of Applied Physics, 53, 018004-1-018004-3 (2014). (doi: 10.7567/JJAP.53.018004)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique; ECS Transactions 64(10), 17-22 (2014). (doi: 10.1149/06410.0017ecst)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa, and Seiichiro Higashi; Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates; Japanese Journal of Applied Physics, 54, 04DA08-1-04DA08-5 (2015). (doi: 10.7567/JJAP.54.04DA08)
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.7567/JJAP.53.108002
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.7567/JJAP.54.086503
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1063/1.4837696
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.7567/JJAP.53.018004
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1149/06410.0017ecst
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DA08
学位授与番号
学位授与番号 甲第6752号
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位名
言語 en
学位名 Doctor of Engineering
学位授与年月日
学位授与年月日 2015-09-04
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 15401
言語 ja
学位授与機関名 広島大学
学位授与機関
言語 en
学位授与機関名 Hiroshima University
旧ID 40193
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Ver.1 2025-02-18 09:41:42.256139
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