WEKO3
アイテム
Merits of Heat Assist for Melt Laser Annealing
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007008
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007008840f580f-3250-4d5a-8e5b-45190ed3480b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
IEEETransElecDev_53_1059.pdf (433.5 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Merits of Heat Assist for Melt Laser Annealing | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Shibahara, Kentaro
× Shibahara, Kentaro
× Eto, Takanori
× Kurobe, Ken-ichi
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| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2006 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted componet of this word in other works must be obtained from the IEEE. | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | CMOS | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | excimer laser | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | krypton flouride (KrF) | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | laser annealing (LA) | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | shallow junction | |||||||||||
| 主題 | ||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述 | In this paper, the potential for sub-10-nm junction formation of partial-melt laser annealing (PMLA), which is a combination of solid-phase regrowth and heat-assisted laser annealing (HALA), is demonstrated. HALA and PMLA are effective for reducing laser-energy density for dopant activation and for improving heating uniformity of device structure. The absence of melting at the dopant profile tail for PMLA results in a egligibly small diffusion at this region. A high activation rate is achievableby melting the upper part of the amorphous-silicon layer. The obtained sheet resistance of 10-nm-deep junctions was about 700 Ω/sq. for both n+/p and p+/n junctions. These results imply that PMLA is applicable for much shallower junction formation. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | IEEE | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1109/TED.2006.871870 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.871870 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0018-9383 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00667820 | |||||||||||
| 開始ページ | ||||||||||||
| 開始ページ | 1059 | |||||||||||
| 書誌情報 |
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Transactions on Electron Devices 巻 53, 号 5, p. 1059-1064, 発行日 2006-05 |
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| 旧ID | 17077 | |||||||||||
