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  1. 学術雑誌論文等

Merits of Heat Assist for Melt Laser Annealing

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007008
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007008
840f580f-3250-4d5a-8e5b-45190ed3480b
名前 / ファイル ライセンス アクション
IEEETransElecDev_53_1059.pdf IEEETransElecDev_53_1059.pdf (433.5 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Merits of Heat Assist for Melt Laser Annealing
言語 en
作成者 Shibahara, Kentaro

× Shibahara, Kentaro

en Shibahara, Kentaro

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Eto, Takanori

× Eto, Takanori

en Eto, Takanori

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Kurobe, Ken-ichi

× Kurobe, Ken-ichi

en Kurobe, Ken-ichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2006 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted componet of this word in other works must be obtained from the IEEE.
主題
主題Scheme Other
主題 CMOS
主題
主題Scheme Other
主題 excimer laser
主題
主題Scheme Other
主題 krypton flouride (KrF)
主題
主題Scheme Other
主題 laser annealing (LA)
主題
主題Scheme Other
主題 shallow junction
主題
主題Scheme NDC
主題 540
内容記述
内容記述 In this paper, the potential for sub-10-nm junction formation of partial-melt laser annealing (PMLA), which is a combination of solid-phase regrowth and heat-assisted laser annealing (HALA), is demonstrated. HALA and PMLA are effective for reducing laser-energy density for dopant activation and for improving heating uniformity of device structure. The absence of melting at the dopant profile tail for PMLA results in a egligibly small diffusion at this region. A high activation rate is achievableby melting the upper part of the amorphous-silicon layer. The obtained sheet resistance of 10-nm-deep junctions was about 700 Ω/sq. for both n+/p and p+/n junctions. These results imply that PMLA is applicable for much shallower junction formation.
言語 en
出版者
出版者 IEEE
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1109/TED.2006.871870
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.871870
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0018-9383
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00667820
開始ページ
開始ページ 1059
書誌情報 IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices

巻 53, 号 5, p. 1059-1064, 発行日 2006-05
旧ID 17077
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Ver.1 2025-02-21 03:38:36.061426
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