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アイテム
Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006288
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006288f462cecc-22eb-4cac-9ed3-7a61a33add3a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
ApplPhysLett_98_123705.pdf (4.3 MB)
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| アイテムタイプ | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 作成者 |
Kudo, Takashi
× Kudo, Takashi
× Nakajima, Anri
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 権利情報 | ||||||||||
| 権利情報 | (c) 2011 American Institute of Physics | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述 | Si single-electron transistors (SETs) were used for highly sensitive ion detection. A multiple-island channel structure was adapted in the SET for room-temperature operation. Clear Coulomb oscillation and diamonds were observed at room temperature. Using the Coulomb oscillation, clear pH responses of drain current (Id)-gate voltage (Vg) characteristics were obtained despite the existence of Id noise. Because Coulomb oscillations have a possibility to increase the slope of Id over Vg near the half-maximum current of the peaks, high resolving power of ion, and/or biomolecule concentration can be expected. A Si-structure will make it possible to integrate the sensors on a single chip. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.3569148 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.3569148 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||
| 開始ページ | ||||||||||
| 開始ページ | 123705 | |||||||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters Applied Physics Letters 巻 98, 号 12, p. 123705, 発行日 2011 |
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| 旧ID | 34090 | |||||||||
