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  1. 学術雑誌論文等

Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006288
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006288
f462cecc-22eb-4cac-9ed3-7a61a33add3a
名前 / ファイル ライセンス アクション
ApplPhysLett_98_123705.pdf ApplPhysLett_98_123705.pdf (4.3 MB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Highly sensitive ion detection using Si single-electron transistors
言語 en
作成者 Kudo, Takashi

× Kudo, Takashi

en Kudo, Takashi

Search repository
Nakajima, Anri

× Nakajima, Anri

en Nakajima, Anri

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 (c) 2011 American Institute of Physics
主題
主題Scheme NDC
主題 540
内容記述
内容記述 Si single-electron transistors (SETs) were used for highly sensitive ion detection. A multiple-island channel structure was adapted in the SET for room-temperature operation. Clear Coulomb oscillation and diamonds were observed at room temperature. Using the Coulomb oscillation, clear pH responses of drain current (Id)-gate voltage (Vg) characteristics were obtained despite the existence of Id noise. Because Coulomb oscillations have a possibility to increase the slope of Id over Vg near the half-maximum current of the peaks, high resolving power of ion, and/or biomolecule concentration can be expected. A Si-structure will make it possible to integrate the sensors on a single chip.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.3569148
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.3569148
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
開始ページ
開始ページ 123705
書誌情報 Applied Physics Letters
Applied Physics Letters

巻 98, 号 12, p. 123705, 発行日 2011
旧ID 34090
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Ver.1 2025-02-21 03:16:36.469907
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