| Item type |
デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) |
| 公開日 |
2023-03-18 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Charge density distribution of transparent p-type semiconductor (LaO)CuS |
|
言語 |
en |
| 作成者 |
Takase, Kouichi
Sato, Ken
Shoji, Osamu
Takahashi, Yumiko
Takano, Yoshiki
Sekizawa, Kazuko
Kuroiwa, Yoshihiro
Goto, Manabu
|
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 権利情報 |
|
|
権利情報 |
Copyright (c) 2007 American Institute of Physics. |
| 内容記述 |
|
|
内容記述 |
The charge density distributions of layered oxysulfide (LaO)CuS, known as a p-type transparent semiconductor, have been investigated by analyzing the synchrotron radiation powder diffraction profile with the maximum entropy method/Rietveld method. The bonding character of the Cu–S bond is revealed to be covalent. Meanwhile, the O–La bonding has both ionic and covalent characters. The number of electrons estimated by integrating the charge density around each atom gave direct evidence that each CuS and LaO layer is electrically almost neutral. |
|
言語 |
en |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
American Institute of Physics |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
VoR |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連情報 |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
10.1063/1.2724891 |
| 関連情報 |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1063/1.2724891 |
| 収録物識別子 |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
0003-6951 |
| 収録物識別子 |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA00543431 |
| 開始ページ |
|
|
開始ページ |
161916-1 |
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters
巻 90,
号 16,
p. 161916-1-161916-3,
発行日 2007-04-19
|
| 旧ID |
18827 |
ApplPhysLett_90_161916.pdf (554.0 KB)
