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  1. 学術雑誌論文等

Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006269
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006269
35252f7e-1e1c-4263-a1da-ddf32aec804c
名前 / ファイル ライセンス アクション
ApplPhysLett_80_4617.pdf ApplPhysLett_80_4617.pdf (287.9 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Fabrication of Si single-electron transistors having double SiO2 barriers
言語 en
作成者 Ito, Yuhei

× Ito, Yuhei

en Ito, Yuhei

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Hatano, Tsuyoshi

× Hatano, Tsuyoshi

en Hatano, Tsuyoshi

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Nakajima, Anri

× Nakajima, Anri

en Nakajima, Anri

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Yokoyama, Shin

× Yokoyama, Shin

en Yokoyama, Shin

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
内容記述
内容記述 We fabricated Si single-electron transistors (SETs) having double SiO2 barriers and a polycrystalline Si (poly-Si) dot. The fabrication method of this device is completely compatible with the complementary metal–oxide–semiconductor technology, and the position of the poly-Si dot is self-aligned between the source and drain regions. The device exhibits drain current (Id) oscillation against gate voltage. From the dot size dependence of the electrical characteristics, the Id oscillation is considered to be due to the Coulomb blockade effect caused by poly-Si grains in the poly-Si dot. The self-alignment of the poly-Si dot in the fabrication process also means that the SET is promising for practical use.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.1485306
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1485306
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
開始ページ
開始ページ 4617
書誌情報 Applied Physics Letters
Applied Physics Letters

巻 80, 号 24, p. 4617-4619, 発行日 2002-06-17
旧ID 18590
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Ver.1 2025-02-21 03:16:00.754562
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