| Item type |
デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) |
| 公開日 |
2023-03-18 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors |
|
言語 |
en |
| 作成者 |
Nakajima, Anri
Yoshimoto, Takashi
Kidera, Toshiro
Obata, Katsunori
Yokoyama, Shin
Sunami, Hideo
Hirose, Masataka
|
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 権利情報 |
|
|
権利情報 |
Copyright (c) 2000 American Institute of Physics. |
| 内容記述 |
|
|
内容記述 |
An extremely thin (~0.4 nm) silicon-nitride layer has been deposited on thermally grown SiO2 by an atomic-layer-deposition (ALD) technique. The boron penetration through the stacked gate dielectrics has dramatically been suppressed, and the reliability has been significantly improved, as confirmed by capacitance–voltage, gate-current–gate-voltage, and time-dependent dielectricbreakdown characteristics. The ALD technique allows us to fabricate an extremely thin, very uniform silicon-nitride layer with atomic-scale control. |
|
言語 |
en |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
American Institute of Physics |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
VoR |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連情報 |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
10.1063/1.1320847 |
| 関連情報 |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1063/1.1320847 |
| 収録物識別子 |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
0003-6951 |
| 収録物識別子 |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA00543431 |
| 開始ページ |
|
|
開始ページ |
2855 |
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters
巻 77,
号 18,
p. 2855-2857,
発行日 2000-10-30
|
| 旧ID |
18596 |
ApplPhysLett_77_2855.pdf (119.7 KB)
