WEKO3
アイテム
Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006260
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/20062609aa47ec0-b736-495c-810f-dbb5b839fe0c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
ApplPhysLett_75_1535.pdf (53.7 KB)
|
| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Characterization of silicon/oxide/nitride layers by x-ray photoelectron spectroscopy | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Hansch, Walter
× Hansch, Walter
× Nakajima, Anri
× Yokoyama, Shin
|
|||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 1999 American Institute of Physics. | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述 | Core-level intensities for Si 2p, Si2s, O1s, and N1s were measured by x-ray photoelectron spectroscopy in bulk samples of silicon, SiO2 and Si3N4. A complete and consistent set of intensity ratios is given and applied for calculations of thickness and stoichiometry in thin Si/oxide/nitride layers, which can be used for gate dielectrics in advanced metal–oxide–semiconductor field-effect transistor fabrication. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.124747 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.124747 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||
| 開始ページ | ||||||||||||
| 開始ページ | 1535 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters Applied Physics Letters 巻 75, 号 11, p. 1535-1537, 発行日 1999-09-13 |
|||||||||||
| 旧ID | 18595 | |||||||||||
