WEKO3
アイテム
Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004422
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/20044220f431215-c358-4850-bf0c-8e6b0e4a56bf
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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o4266_3.pdf (4.7 MB)
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o4266_1.pdf (259.4 KB)
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o4266_2.pdf (227.3 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Temperature Dependence of Threshold Voltage in Poly-Si/TiN Metal Gate Transistors | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 作成者 |
西田, 征男
× 西田, 征男
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Y. Nishida, K. Eikyu, A. Shimizu, T. Yamashita, H. Oda, Y. Inoue, and K. Shibahara; Temperature Coefficient of Threshold Voltage in High-k Metal Gate Transistors with Various TiN and Capping Layer Thicknesses; Japanese Journal of Applied Physics 49 (2010) 04DC03, pp.04DC03-1－5. (doi: 10.1143/JJAP.49.04DC03) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Y. Nishida and S. Yokoyama; Mechanisms of Temperature Dependence of Threshold Voltage in High-k/Metal Gate Transistors with Different TiN Thicknesses; International Journal of Electronics, 103(4) 629-647 (2016). (doi: 10.1080/00207217.2015.1036809) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Y. Nishida, T. Yamashita, S. Yamanari, M. Higashi, K. Shiga, N. Murata, M. Mizutani, M. Inoue, S. Sakashita, K. Mori, J. Yugami, T. Hayashi, A. Shimizu, H. Oda, T. Eimori, and O. Tsuchiya; Performance Enhancement in 45-nm Ni Fully-Silicided Gate/High-k CMIS using Substrate Ion Implantation; Digest of 2006 Symposium on VLSI (2006) pp.172-173. (doi: 10.1109/VLSIT.2006.1705272) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | ・Y. Nishida, T. Kawahara, S. Sakashita, M. Mizutani, S. Yamanari, M. Higashi, N. Murata, M. Inoue, J. Yugami, S. Endo, T. Hayashi, T. Yamashita, H. Oda, and Y. Inoue; Advanced Poly-Si NMIS and Poly-Si/TiN PMIS Hybrid-Gate High-k CMIS using PVD/CVD-Stacked TiN and Local Strain Technique; Digest of 2007 Symposium on VLSI (2007) pp. 214-215. (doi: 10.1109/VLSIT.2007.4339697) | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1143/JJAP.49.04DC03 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1080/00207217.2015.1036809 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1109/VLSIT.2006.1705272 | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.1109/VLSIT.2007.4339697 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 乙第4266号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位名 | Doctor of Engineering | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2015-09-04 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 15401 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 広島大学 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位授与機関名 | Hiroshima University | |||||||||
| 旧ID | 40240 | |||||||||
