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  1. 広島大学博士論文
  2. 2015年度

Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004422
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2004422
0f431215-c358-4850-bf0c-8e6b0e4a56bf
名前 / ファイル ライセンス アクション
o4266_3.pdf o4266_3.pdf (4.7 MB)
o4266_1.pdf o4266_1.pdf (259.4 KB)
o4266_2.pdf o4266_2.pdf (227.3 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Temperature Dependence of Threshold Voltage in Poly-Si/TiN Metal Gate Transistors
言語 en
タイトル
タイトル Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性
言語 ja
作成者 西田, 征男

× 西田, 征男

ja 西田, 征男

en Nishida, Yukio

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
主題
主題Scheme NDC
主題 540
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
資源タイプ doctoral thesis
出版タイプ
出版タイプ NA
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Y. Nishida, K. Eikyu, A. Shimizu, T. Yamashita, H. Oda, Y. Inoue, and K. Shibahara; Temperature Coefficient of Threshold Voltage in High-k Metal Gate Transistors with Various TiN and Capping Layer Thicknesses; Japanese Journal of Applied Physics 49 (2010) 04DC03, pp.04DC03-1-5. (doi: 10.1143/JJAP.49.04DC03)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Y. Nishida and S. Yokoyama; Mechanisms of Temperature Dependence of Threshold Voltage in High-k/Metal Gate Transistors with Different TiN Thicknesses; International Journal of Electronics, 103(4) 629-647 (2016). (doi: 10.1080/00207217.2015.1036809)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Y. Nishida, T. Yamashita, S. Yamanari, M. Higashi, K. Shiga, N. Murata, M. Mizutani, M. Inoue, S. Sakashita, K. Mori, J. Yugami, T. Hayashi, A. Shimizu, H. Oda, T. Eimori, and O. Tsuchiya; Performance Enhancement in 45-nm Ni Fully-Silicided Gate/High-k CMIS using Substrate Ion Implantation; Digest of 2006 Symposium on VLSI (2006) pp.172-173. (doi: 10.1109/VLSIT.2006.1705272)
関連情報
関連タイプ references
関連名称 ・Y. Nishida, T. Kawahara, S. Sakashita, M. Mizutani, S. Yamanari, M. Higashi, N. Murata, M. Inoue, J. Yugami, S. Endo, T. Hayashi, T. Yamashita, H. Oda, and Y. Inoue; Advanced Poly-Si NMIS and Poly-Si/TiN PMIS Hybrid-Gate High-k CMIS using PVD/CVD-Stacked TiN and Local Strain Technique; Digest of 2007 Symposium on VLSI (2007) pp. 214-215. (doi: 10.1109/VLSIT.2007.4339697)
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1143/JJAP.49.04DC03
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1080/00207217.2015.1036809
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1109/VLSIT.2006.1705272
関連情報
関連タイプ references
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://doi.org/10.1109/VLSIT.2007.4339697
学位授与番号
学位授与番号 乙第4266号
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位名
言語 en
学位名 Doctor of Engineering
学位授与年月日
学位授与年月日 2015-09-04
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 15401
言語 ja
学位授与機関名 広島大学
学位授与機関
言語 en
学位授与機関名 Hiroshima University
旧ID 40240
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Ver.1 2025-02-18 09:41:52.556037
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