WEKO3
アイテム / A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics / k8160_1
k8160_1
| ファイル | ライセンス |
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 k8160_1.pdf (246.7 kB)
sha256
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||
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| ファイル名 | k8160_1.pdf | |||||
| 本文URL | https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/record/2003325/files/k8160_1.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| サイズ | 240.9 KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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