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アイテム
極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiCMOSFETsの研究
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2003325
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2003325996f3271-3ee9-4041-8d03-3d43ab166756
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k8160_1.pdf (240.9 KB)
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k8160_2.pdf (217.6 KB)
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k8160_3.pdf (12.9 MB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | A Study on High-Mobility SiC MOSFETs with Interfacial Silicate Layer for Harsh Environment Electronics | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiCMOSFETsの研究 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 作成者 |
村岡, 幸輔
× 村岡, 幸輔
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第8160号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位名 | Doctor of Engineering | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2020-03-23 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 15401 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 広島大学 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位授与機関名 | Hiroshima University | |||||||||
| 旧ID | 49457 | |||||||||
