WEKO3
アイテム
大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜のミリ秒結晶化メカニズムの解明とボトムゲート型薄膜トランジスタへの応用
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2002419
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/20024193a5e0e8e-566e-4ad4-a011-8aa5c03beba3
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
k8673_1.pdf (131.3 KB)
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k8673_2.pdf (152.1 KB)
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k8673_3.pdf (5.2 MB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Investigation on the Mechanism of Millisecond Solid Phase Crystallization of Silicon Films Formed by Micro-Thermal-Plasma-Jet and Their Application to Bottom-Gate Thin Film Transistors | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜のミリ秒結晶化メカニズムの解明とボトムゲート型薄膜トランジスタへの応用 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 作成者 |
Nguyen, Hoa Thi Khanh
× Nguyen, Hoa Thi Khanh
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| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||
| 出版タイプ | ||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||
| 学位授与番号 | ||||||||
| 学位授与番号 | 甲第8673号 | |||||||
| 学位名 | ||||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||
| 学位名 | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 学位名 | Doctor of Engineering | |||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2021-09-17 | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 15401 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関名 | 広島大学 | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| 学位授与機関名 | Hiroshima University | |||||||
| 旧ID | 51851 | |||||||
