| Item type |
デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) |
| 公開日 |
2023-03-18 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用 |
|
言語 |
ja |
| 作成者 |
横山, 新
廣瀬, 全孝
宮崎, 誠一
桜田, 勇蔵
|
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
表面損傷 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
中速イオン散乱 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
イオン注入装置 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
飛行時間測定 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
不純物分布 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
半導体検出器 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
スペクトルシミュレーション |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
プラズマ損傷 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
semiconductor detector |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
time of flight measurement |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
アンチモンイオン注入 |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
ion implanter |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
surface damage |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
plasma-induced damage |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
impurity profile |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
spectra simulation |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
コンタクトホール |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
アルゴンプラズマ |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
medium energy ion scattering |
| 主題 |
|
|
主題Scheme |
NDC |
|
主題 |
540 |
| 内容記述 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096 |
| 内容記述 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
原著には既発表論文の別刷を含む。 |
| 日付 |
|
|
日付 |
1998-03 |
|
日付タイプ |
Created |
| 言語 |
|
|
言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws |
|
資源タイプ |
research report |
| 旧ID |
26493 |
06555096.pdf (6.7 MB)
