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  1. 学術雑誌論文等

Effects of annealing of poly(3-hexylthiophene) film on the performance of double-layered EL devices of ITO/polymer/Alq3/Mg-Ag

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2008850
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2008850
088b3cd0-2422-429c-8ba8-88247638d576
名前 / ファイル ライセンス アクション
SyntheticMetals_157_104.pdf SyntheticMetals_157_104.pdf (583.0 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Effects of annealing of poly(3-hexylthiophene) film on the performance of double-layered EL devices of ITO/polymer/Alq3/Mg-Ag
言語 en
作成者 Ohshita, Joji

× Ohshita, Joji

en Ohshita, Joji

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Tada, Yosuke

× Tada, Yosuke

en Tada, Yosuke

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Kunai, Atsutaka

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Harima, Yutaka

× Harima, Yutaka

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Kohno, Atsushi

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Kunugi, Yoshihito

× Kunugi, Yoshihito

en Kunugi, Yoshihito

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright(c) 2007 Elsevier Science SA
主題
主題Scheme Other
主題 Annealing
主題
主題Scheme Other
主題 EL device
主題
主題Scheme Other
主題 Hole-transport
主題
主題Scheme Other
主題 Interface
主題
主題Scheme Other
主題 Polythiophene
主題
主題Scheme Other
主題 Regio-regularity
主題
主題Scheme Other
主題 X-ray reflectivity
主題
主題Scheme NDC
主題 430
内容記述
内容記述 Double layer devices with a structure of ITO/pHT/Alq3/Mg-Ag (ITO = indium tin oxide, pHT = regio-regular or random poly(3-hexylthiophene), Alq3 = tris(8-hydroxyquinoline)aluminium) were fabricated. The device with a random pHT film emitted a green-yellow light in all voltage region, while that having a regio-regular pHT film exhibited a color change from green to red by applying the bias voltage higher than 15 V. Annealing the pHT films prepared on ITO at 200 °C for 1 h in nitrogen, prior to vapor-deposition of the Alq3 layer, improved the device performance with lowering the onset bias voltage by 2-3 V. The EL colors and spectra were also affected by annealing. X-ray reflectivity measurements before and after annealing the pHT film on ITO indicated increased density of the pHT layer and structural changes in the pHT/ITO interface by annealing, which seems to be responsible for the improved EL device performance
言語 en
出版者
出版者 Elsevier Science SA
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ AO
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1016/j.synthmet.2006.12.009
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1016/j.synthmet.2006.12.009
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0379-6779
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00446016
開始ページ
開始ページ 104
書誌情報 Synthetic Metals
Synthetic Metals

巻 157, 号 2-3, p. 104-108, 発行日 2007
旧ID 21477
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Ver.1 2025-02-21 04:36:57.646864
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