| Item type |
デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) |
| 公開日 |
2023-03-18 |
| タイトル |
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タイトル |
High thermoelectric performance of Cu substituted type-VIII clathrate Ba8Ga16-xCuxSn30 single crystals |
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言語 |
en |
| 作成者 |
Deng, Shukang
Saiga, Yuta
Kajisa, Kousuke
Takabatake, Toshiro
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| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 権利情報 |
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権利情報 |
Copyright (c) 2011 American Institute of Physics |
| 主題 |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
420 |
| 内容記述 |
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内容記述 |
Single crystalline samples of type-VIII clathrate Ba_8Ga_<16-x>Cu_xSn_<30> (0 ≤x ≤ 0.033) were prepared by the Sn-flux method. Upon substituting Cu for Ga, the carrier mobility at 300 K increases twice while the carrier density stays in the range 3.1-4.2×10^<19>/cm3. Consequently, the electrical resistivity is decreased from 5.3 mΩcm for x=0 to 3.2 mΩcm for x=0.033. Irrespective of x, the Seebeck coefficient is largely negative and linearly changes with temperature in the range 300<T<600 K. The thermal conductivity is in the range 0.68-0.74 W/Km at 300 K for all samples. The dimensionless figure of merit ZT for x=0.033 reaches the maximum of 1.35 at 540 K. |
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言語 |
en |
| 出版者 |
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出版者 |
The American Institute of Physics |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1063/1.3583570 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1063/1.3583570 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0021-8979 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00693547 |
| 開始ページ |
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開始ページ |
103704-1 |
| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics
巻 109,
号 10,
p. 103704-1-103704-4,
発行日 2011-05-18
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| 旧ID |
31998 |
JApplPhys_109_103704.pdf (1.1 MB)
