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  1. 学術雑誌論文等

Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007188
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007188
8188a538-dbf7-41a2-8aae-298c3bb6ebc6
名前 / ファイル ライセンス アクション
JApplPhys_91_5213.pdf JApplPhys_91_5213.pdf (502.6 KB)
Item type デフォルトアイテムタイプ_(フル)(1)
公開日 2023-03-18
タイトル
タイトル Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires
言語 en
作成者 Kawamura, Kensaku

× Kawamura, Kensaku

en Kawamura, Kensaku

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Kidera, Toshiro

× Kidera, Toshiro

en Kidera, Toshiro

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Nakajima, Anri

× Nakajima, Anri

en Nakajima, Anri

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Yokoyama, Shin

× Yokoyama, Shin

en Yokoyama, Shin

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利情報
権利情報 Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
内容記述
内容記述 Narrow (>95 nm) and extremely thin (~7 nm) heavily phosphorous-doped polycrystalline-silicon (poly-Si) wires were fabricated by low-pressure chemical vapor deposition. The electrical conduction mechanism has been investigated at low temperatures (down to ~5 K), and observation by transmission electron microscopy (TEM) was carried out. Single-electron effects such as Coulomb oscillations have been observed at temperatures up to 80 K. The size of the island in the poly-Si wires was estimated from the electrical properties, and it was in the same order as the grain size of the poly-Si measured by TEM. A maximum tunnel barrier height of ~26 meV of the poly-Si grain boundary is obtained from the temperature dependence of the conductance of the sample. A model for the electronic conduction through multiple islands was proposed from the width dependence of their electrical properties.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.1464650
関連情報
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1464650
収録物識別子
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
収録物識別子
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
開始ページ
開始ページ 5213
書誌情報 Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics

巻 91, 号 8, p. 5213-5220, 発行日 2002-04-15
旧ID 18593
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Ver.1 2025-02-21 03:44:19.266131
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