WEKO3
アイテム
Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006274
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2006274c737affb-765e-48e8-9571-78fb4a388bc1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
ApplPhysLett_86_123118.pdf (144.7 KB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Room-temperature operation of an exclusive-OR circuit using a highly doped Si single-electron transistor | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Kitade, Tetsuya
× Kitade, Tetsuya
× Ohkura, Kensaku
× Nakajima, Anri
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| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2005 American Institute of Physics. | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述 | We fabricated highly doped Si single-electron transistors (SETs) with a series of geometrically defined multiple islands. Highly doped SETs have the advantage of being easy to fabricate. Moreover, SETs with multiple islands provide a larger peak-to-valley current ratio (PVCR) than SETs with a single island. A PVCR for the Coulomb oscillation of up to 77 was observed at room temperature. This large PVCR is advantageous for circuit operations. We applied the Coulomb oscillation and multiple-gate input characteristics of only one SET to obtain an exclusive-OR operation at room temperature. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1894594 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.1894594 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters Applied Physics Letters 巻 86, 号 12, 発行日 2005-05-21 |
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| 旧ID | 18598 | |||||||||||
