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アイテム
回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2005405
https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2005405d02e8cc3-81f9-457e-83a8-518faca1a767
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
diss_ko3067.pdf (4.6 MB)
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| Item type | デフォルトアイテムタイプ_（フル）(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-03-18 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 回路シミュレーションのためのキャリア走行遅延を考慮したMOSFETモデル | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | A Non-Quasi-Static Model for MOSFET Based on Carrier-Transit Delay | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 作成者 |
中山, 範明
× 中山, 範明
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 権利情報 | ||||||||||
| 権利情報 | Copyright(c) by Author | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||
| 主題 | 540 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 関連名称 | (1) "A Self-Consistent Non-Quasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation Based on Transient Carrier Response" N. Nakayama, H. Ueno, T. Inoue, T. Isa, M. Tanaka and M. Miura-Mattausch, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42, Part 1, No. 4B, April 2003 pp. 2132-2136. | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 関連タイプ | references | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.42.2132 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第3067号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位名 | Engineering | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2003-09-05 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 15401 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 広島大学 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位授与機関名 | Hiroshima University | |||||||||
| 旧ID | 21034 | |||||||||
