2026-03-12T22:39:52Z https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/oai

oai:hiroshima.repo.nii.ac.jp:02000735 2025-02-17T13:34:26Z 1730444918213

飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用 横山, 新 Yokoyama, Shin 横山 Yokoyama 新 Shin 廣瀬, 全孝 Hirose, Masataka 廣瀬 Hirose 全孝 Masataka 宮崎, 誠一 Miyazaki, Seiichi 宮崎 Miyazaki 誠一 Seiichi 桜田, 勇蔵 桜田 勇蔵 open access 表面損傷 中速イオン散乱 イオン注入装置 飛行時間測定 不純物分布 半導体検出器 スペクトルシミュレーション プラズマ損傷 semiconductor detector time of flight measurement アンチモンイオン注入 ion implanter surface damage plasma-induced damage impurity profile spectra simulation コンタクトホール アルゴンプラズマ medium energy ion scattering 540 研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096 原著には既発表論文の別刷を含む。 1998-03 jpn research report https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2000735 https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/record/2000735/files/06555096.pdf 6.7 MB